Infineon представляет новое поколение мощных полевых MOSFET транзисторов

Infineon Technologies, крупнейший игрок в области силовых полупроводников, представила новейшее поколение силовых полевых MOSFET транзисторов. Компания начала продажу первых устройств на основе технологии OptiMOS 6, предназначенной для синхронного выпрямления в приложениях с импульсным питанием, включая серверы, персональные компьютеры и зарядные устройства. Устройства мощностью 40 Вт имеют пониженное сопротивление в открытом состоянии на 30% по сравнению с предыдущим поколением.

Продукты, представленные на конференции по прикладной силовой электронике (APEC), могут быть использованы для повышения эффективности при высокой и низкой выходной мощности, без каких-либо компромиссов между условиями высокой и низкой нагрузки. Новая технология Infineon OptiMOS также обеспечивает более высокую производительность коммутации, которую можно поддерживать в широком диапазоне выходных мощностей. Это помогает сократить системные затраты на персональные компьютеры, зарядные устройства и другие продукты, заявили в Infineon.

Компания Infenion создала новое поколение мощных силовых MOSFET транзисторов

МОП-транзисторы (MOSFET) предназначены для усиления или переключения электронных сигналов, при этом величина напряжения, приложенного к устройству, определяет его проводимость. МОП-транзисторы обычно используются в высокочастотных и низковольтных устройствах. Другой тип силового полупроводникового устройства, IGBT, является золотым стандартом для управления электродвигателями переменного тока и другой электроникой, которая обрабатывает высокие напряжения на низких частотах. Infineon также начала продавать SiC MOSFET, которые имеют более высокие рабочие напряжения.

Компания Infineon, которой принадлежит более 25 процентов рынка MOSFET транзисторов, испытывает сильный спрос на свою продукцию, которая используется во всех видах электронных систем, от компьютерных зарядных устройств до электромобилей. В прошлом году компания заявила, что к 2024 году потратит 1,9 млрд долларов на увеличение производства силовых полупроводниковых приборов на тонких 300-миллиметровых пластинах. Infineon пытается преодолеть постоянную нехватку цифровых устройств питания, включая MOSFET.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *